欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HE3055 参数 Datasheet PDF下载

HE3055图片预览
型号: HE3055
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 83 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
N P N S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
HE3055
通用和开关应用
DCCURRENT GAIN规定为10安培
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 75W
P
C
--Collector
耗散(T
A
=25℃)……………………0.6W
V
CBO
--Collector -基地
电压70V .................................
V
首席执行官
--Collector发射极
..............................电压60V
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压5V
I
C
--Collector
直流(DC) .................................... 10A
I
B
内部BASE
Current……………………………………………6A
TO-220
1―
基地B
2―Collector,C
3发射极,E
█ 电参数
(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 发射极电压维持
收藏家Cuto FF电流
发射基截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
I
首席执行官
I
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE(sat1)
V
CE(sat2)
V
BE(上)
f
T
60
0.7
5
20
5
100
V
mA
mA
I
C
= 10毫安,我
B
=0
V
CE
= 30V ,我
B
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 4V ,我
C
=4A
V
CE
= 4V ,我
C
=10A
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
1.1
8
V
V
V
I
C
= 4A ,我
B
=400mA
I
C
= 10A ,我
B
=3.3mA
V
CE
= 4V ,我
C
=4A
V
CE
= 10V ,我
C
=500mA
f=500KHz
基地 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
2.0
1.8