NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
高压开关
和高速开关
HE13002
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………1W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………600V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………400V
V
E B Ø
② ：辐射源
基极电压连续.................................... 9V
I
C
——
集电极电流.......................................... 1
TO-92
1―Emitter，E
２
-collector ，C
３
-base ，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极 - 基极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
６００
４００
９
１０
８
１０
１０
４０
０．５
１．０
３
１．２
Ｖ
Ｖ
Ｖ
I
C
= 1mA时，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
=1mA，I
C
=0
μＡ
V
CB
= 500V ，我
E
=0
μＡ���
V
EB
= 9V ，我
C
=0
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
V
CE
= 10V ，我
C
=0.1A
I
C
= 0.2A ，我
B
=40mA
I
C
= 0.5A ，我
B
=100mA
I
C
= 0.8A ，我
B
=200mA
I
C
= 0.5A ，我
B
=100mA
直流电流增益
V
CE(sat1)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat2)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat3)
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
f
T
t
ON
t
英镑
t
F
基射极饱和电压
电流增益带宽积
开启时间
贮存时间
下降时间
ＭＨ�½�
V
CE
= 10V ，我
C
=0.1A,f=1ＭＨ�½�
V
CC
= 125V ，我
C
=1A
１．１ μＳ
I
B1
=-I
B2
=0.2A
４．０ μＳ
０．７ μＳ
R
L
=125
Ω
█
h
FE
分类
Ｈ１ Ｈ２ Ｈ３ Ｈ４ Ｈ５
１０－１６ １４－２１ １９－２６ ２４－３１ ２９－４０
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
