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HD880 参数 Datasheet PDF下载

HD880图片预览
型号: HD880
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 153 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HD880的Datasheet PDF文件第2页  
汕头华汕电子器件有限公司。
ñ PN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
HD880
应用
低频功率放大器。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 30W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage……………………………60V
V
首席执行官
--Collector发射极
..............................电压60V
V
EBO
--Emitter -基地
电压7V ....................................
I
C
--Collector
目前............................................. 3A
IB - 基极电流0.3A .............................................
TO-220
1―
基地B
2―Collector,C
3发射极,E
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
60
100
100
60
20
0.4
0.7
3
70
0.8
1.5
0.8
1
1
300
V
I
C
=50mA,
I
B
=0
μA
V
CB
= 60V ,我
E
=0
μA
V
EB
= 7V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=0.5A
V
CE
= 5V ,我
C
=3A
V
V
兆赫
pF
μS
μS
μS
I
C
= 3A ,我
B
=0.3A
V
CE
= 5V ,我
C
=0.5A
V
CE
= 5V ,我
C
=0.5A,
V
CB
= 10V ,我
E
=0,f=1MHz
I
B1
= -I
B2
=0.2A
V
CC
=30V
发射极截止电流
H
FE(1)
直流电流增益
H
FE(2)
直流电流增益
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
f
t
COB
t
ON
t
英镑
t
F
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
h
FE
分类
O
60—120
Y
100—200
GR
150—300