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HD313 参数 Datasheet PDF下载

HD313图片预览
型号: HD313
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 111 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
ñ PN S I L I C 0 NT· RA ñ S I S T Ø ř
HD313
应用
低频功率放大器。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 30W
P
C
--Collector
耗散(T
A
=25℃)………………… 1.75W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage……………………………60V
V
首席执行官
--Collector发射极
..............................电压60V
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压5V
I
C
--Collector
目前............................................. 3A
TO-220
1―
基地B
2―Collector,C
3发射极,E
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
典型值
最大
单位
测试条件
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
集电极截止电流
集电极截止电流
5
0.1
1
60
60
0.4
8
65
1
1.2
320
mA
mA
mA
V
CE
= 60V ,我
B
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=1A
V
CE
= 2V ,我
C
=0.1A
发射极截止电流
H
FE(1)
直流电流增益
H
FE(2)
直流电流增益
V
CE ( SAT )
V
BE
f
t
COB
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
电流增益带宽积
V
V
兆赫
pF
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A
V
CE
= 2V ,我
C
=1A
V
CE
= 5V ,我
C
=0.5A,
V
CB
= 10V ,我
E
=0,f=1MHz
输出电容
h
FE
分类
D
60—120
E
100—200
F
160—320