NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
HC5027
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应用
高电压和高可靠性。
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绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
散热TC = 25 ℃ ）
（
……………………………50W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………1100V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………800V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………………7V
I
C
--Collector
Current（DC）………………………………………3A
I
CP
--Collector
当前
（脉冲）
……………………………………10A
IB - 基极电流1.5A ......................................................
TO-220
1―Base，B
2―Collector，
C
3―Emitter，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
10
8
2
1.5
15
60
V
V
兆赫
pF
民
1100
800
7
10
10
40
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
测试条件
I
C
=1mA,
I
C
=5mA,
I
E
=0
I
B
=0
I
E
=1mA，I
C
=0
V
CB
= 800V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=0.2A
V
CE
= 5V ，我
C
=1A
I
C
= 1.5A ，我
B
=0.3A
I
C
= 1.5A ，我
B
=0.3A
V
CE
=10V,I
C
=0.2A
V
CB
= 10V ，我
E
=0，f=1MHz
H
FE（1）
直流电流增益
H
FE（2）
直流电流增益
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
COB
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
█
h
FE
分类
N
10—20
R
15—30
O
20—40
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
