NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
HC4106
█
应用
高击穿电压和高可靠性
.
开关速度快
.
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
散热TC = 25 ℃ ）
（
……………………………50W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………500V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………400V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………………7V
I
C
--Collector
Current………………………………………………7A
IB - 基极电流3A ......................................................
TO-220
1―Base，B
2―Collector，
C
3―Emitter，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
15
10
10
0.8
1.5
20
80
0.5
2.5
0.3
V
V
兆赫
pF
μS
μS
μS
民
500
400
7
10
10
50
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
测试条件
I
C
=1mA,
I
C
=5mA,
I
E
=0
I
B
=0
I
E
=1mA，I
C
=0
V
CB
= 400V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=0.8A
V
CE
= 5V ，我
C
=4A
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
I
C
= 4A ，我
B
=0.8A
I
C
= 4A ，我
B
=0.8A
V
CE
=10V,I
C
=0.8A
V
CB
= 10V ，我
E
=0，f=1MHz
V
CC
=10V,I
C
=5A
I
B1
=1A，I
B2
=-2A
RL=40ohms
H
FE（1）
直流电流增益
H
FE（2）
直流电流增益
H
FE（3）
直流电流增益
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
COB
t
ON
t
英镑
t
F
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
开启时间
存储
下降时间
时间
█
h
FE
分类
L
M
N
15—30
20—40
30—50
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
