欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HC114Y 参数 Datasheet PDF下载

HC114Y图片预览
型号: HC114Y
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 512 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HC114Y的Datasheet PDF文件第2页  
NPN数字牛逼为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
应用
开关电路,接口电路。
HC114Y
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………300mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………50V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………50V
V
E B Ø
② :辐射源
基极电压连续.................................... 6V
I
C
--Collector
当前
……………………………………
100mA
TO-92S
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
BV
CBO
BV
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
H
FE
 
50 
50 
 
 
67 
70 
 
0.5 
0.7 
7.0 
 
 
 
 
 
 
88 
 
0.1 
0.7 
1.0 
10 
250 
3.7 
 
 
0.1 
0.5 
125 
 
0.3 
0.9 
2.0 
13 
 
 
V 
V 
I
C
=10μA,
I
C
=1mA,
I
E
=0
I =0 
B
μA 
V
CB
= 40V ,我
E
=0
μA 
V
CE
= 40V ,我
B
=0
μA 
V
EB
= 5V ,我
C
=0
 
V 
V 
V
CE
= 5V ,我
C
=5mA 
I
C
= 10毫安,我
B
=0.5mA 
V
CE
= 5V ,我
C
=0.1mA 
辐射源
截止电流
直流电流增益
V
CE ( SAT )
 
集电极 - 发射极饱和电压
(�½��½��½�) I�½��½��½��½� O�½��½� V�½��½��½��½��½��½� 
 
(�½��½�)
R1
R1/ R2
f
T
COB
I�½��½��½��½� O�½� V�½��½��½��½��½��½�
I�½��½��½��½� R�½��½��½��½��½��½��½�
R�½��½��½��½��½��½��½� R�½��½��½��½�
电流增益带宽积
V 
V
CE
= 0.2V ,我
C
=5mA
K�½��½��½�   
 
MH�½� 
V
CE
= 10V ,我
C
=5mA
�½�F 
V
CB
=10V, f=1MH�½�
0.193  0.213  0.234 
输出电容