HBT151 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HBT151
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内容描述：	可控硅整流器 [Silicon Controlled Rectifier]
分类和应用：	可控硅整流器
文件页数/大小：	4 页 / 998 K
品牌：	HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]

汕头华汕电子器件有限公司。

HBT151

█

电气特性

（T

=25

℃

　�½��½��½��½��½��½�　�½��½��½��½��½��½��½��½��½�　�½��½��½��½��½��½��½��½��½�）

符号

DRM

项

重复峰值断态

当前

峰值通态电压（ 1 ）

门极触发电流（ 2 ）

门极触发电压（ 2 ）

非触发栅极电压

保持电流

热阻

兴起关闭状态的爆击率

电压

0.2

分钟。

典型值。

马克斯。

500

1.75

1.5

单位

条件

DRM

=25

℃　

=125

℃

=23A,tp=380µ

= 12V （DC ）中，R

= 10欧姆

= 12V （DC ）中，R

= 10欧姆

克叔

RTH （J -C ）

Rth的第（j-一）

dv / dt的

=25

℃

= 12V ，R

= 100欧姆

1.3

=125

℃

T=100mA,

门打开，

=25

℃

℃/W

V/µ

结到外壳

结到环境

线性斜率高达

DRM

67%

门打开

Tj=125

℃

1.正向电流申请1 ms的最长期限，占空比

≤1%.

2. R

当前不包含在测量

性能

曲线

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