汕头华汕电子器件有限公司。
N P N S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
HBD435
█
应用
中功率线性和开关Applicatione 。
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
温度..............................
-65~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散（T
c
=25℃）…………………… 40W
V
CBO
--Collector -基地
..............................电压32V
V
CES
--Collector发射极
电压........................... 32V
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压5V
I
C
--Collector
目前DC ）
（
…………………………………
4A
I
C
--Collector
Current（Pulse）………………………………7A
（
………………………………………1A
I
B
内部BASE
目前DC ）
TO-220
1―
基地B
2―Collector，C
3发射极，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 发射极电压维持
收藏家Cuto FF电流
发射基截止电流
收藏家Cuto FF电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CEO （ SUS ）
I
CBO
I
EBO
I
CES
H
FE（1）
*H
FE（2）
*H
FE（3）
*V
CE(sat1)
*V
BE（上）
f
T
32
100
1
100
40
85
50
130
140
0.2
3
0.5
1.1
V
μA
mA
μA
I
C
= 100mA时我
B
=0
V
CB
= 32V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
=32V, V
BE
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
V
CE
= 1V ，我
C
=500mA
V
CE
= 1V ，我
C
=2A
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极电压
电流增益带宽积
V
V
兆赫
I
C
= 2A ，我
B
=0.2A
V
CE
=1V,I
C
=2A,
IC = 250毫安，V
CE
=1V
*脉冲测试： PW = 300μS ，占空比= 1.5 ％脉冲
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