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HB1274 参数 Datasheet PDF下载

HB1274图片预览
型号: HB1274
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 177 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HB1274的Datasheet PDF文件第2页  
PNP S I L I C 0 NT· R一种S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
HB1274
应用
低频功率放大器
应用程序。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
散热TC = 25 ℃ )
……………………………20W
P
C
--Collector
Dissipation(Ta=25℃)……………………………2W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-60V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-60V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………-6V
I
C
--Collector
目前DC )
………………………………………-3A
I
C
--Collector
Current(Pulse)……………………………………-8A
TO-220F
1―Base,B
2―Collector,
C
3―Emitter,E
电气特性(T
a
=25℃)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
-60
-60
-6
70
20
-0.4 -1.0
-0.8 -1.0
-100
-100
100
60
V
V
μA
μA
兆赫
pF
280
典型值
最大
单位
V
V
V
测试条件
I
C
= -1mA ,我
E
=0
I
C
=-5mA,
I
B
=0
I
E
=-1mA,I
C
=0
V
CE
= -5V ,我
C
=-0.5A
V
CE
= -5V ,我
C
=-3A
I
C
= -2A ,我
B
=-0.2A
V
CE
= -5V ,我
C
=-0.5A
V
CB
= -40V ,我
E
=0
V
EB
= -4V ,我
C
=0
V
CE
= -5V ,我
C
=-0.5A
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
H
FE(1)
直流电流增益
H
FE(2)
直流电流增益
V
CE ( SAT )
V
BE
I
CBO
I
EBO
f
T
COB
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
电流增益带宽积
输出电容
h
FE
分类
Q
70—140
R
100—200
S
140—280