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汕头华汕电子器件有限公司。
HA92
█
高压晶体管
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………625mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-300V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-300V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current……………………………………-500mA
1―Emitter，E
2―Base，B
3―Collector，
C
TO-92
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
H
FE（1）
H
FE（2）
H
FE（3）
V
CE(sat1)
V
CE(sat2)
V
BE(sat1)
-300
-300
-5
-250
-100
-100
25
40
50
V
V
V
nA
nA
nA
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
=-100μA，I
C
=0
V
CB
= -200V ，我
E
=0
V
EB
= -3V ，我
C
=0
V
CE
=-300V, V
BE
=0
V
CE
= -10V ，我
C
=-1mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-10mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-30mA
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
50
-0.5
-1
-0.9
V
V
V
兆赫
I
C
= -20mA ，我
B
=-2mA
I
C
= -60mA ，我
B
=-6mA
I
C
= -20mA ，我
B
=-2mA
V
CE
= -20V ，我
C
=-10mA
F=100MHz
f
T
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
