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H950 参数 Datasheet PDF下载

H950图片预览
型号: H950
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 186 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号H950的Datasheet PDF文件第2页  
PNP S I L I C 0 ñ
TRAN S I STO ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H817
TO-92
应用
音频放大器应用
特点
补充2SC1627 。
适合20〜 25瓦特音频放大器的驱动程序。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………600mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-80V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-80V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current………………………………………-300mA
IB - 基极电流................................................... -60mA
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 发射极击穿电压
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE
I
CBO
I
EBO
f
T
COB
-80
70
40
-0.4
-0.55
-0.8
-100
-100
70
100
14
240
V
I
C
=-5mA,
I
B
=0
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
V
CE
= -2V ,我
C
=-50mA
V
CE
= -2V ,我
C
=-200mA
V
V
nA
nA
兆赫
pF
I
C
= -200mA ,我
B
=-20mA
V
CE
= -2V ,我
C
=-5mA
V
CB
= -50V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -10V ,我
C
=-10mA
V
CB
= -10V ,我
E
=0,
f=1MHz
辐射源
截止电流
电流增益带宽积
输出电容
h
FE
分类
O
70—140
Y
120—240