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H882 参数 Datasheet PDF下载

H882图片预览
型号: H882
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 751 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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汕头华汕电子器件有限公司。
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
H882
█ APPLICATIONS 
音频功放,开关电源功放。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 10W
P
C
--Collector
耗散(T
A
=25℃)…………………… 1W
V
CBO
--Collector -基地
电压
…………………………
40V
V
首席执行官
——
集电极 - 发射极电压30V ...........................
V
EBO
--Emitter -基地
电压5V .................................
1―Emitter,E
2―Collector,C
3―Base,B
TO-126ML
 
I
C
--Collector
Current(DC)……………………………3A
IB - 基极电流
(DC)………………………………0.6A
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
SAT
V
BE
(SAT)
C
ob
参数
 
集电极 - 基极截止电流
 
发射极 - 基截止电流
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
 
 
60 
 
 
 
 
 
 
 
0.3 
1.0 
45 
90 
1 
1 
400 
0.5 
2.0 
 
 
μA
 
V
C B
= 30V ,我
E
=0
μA
 
V
EB
= 5V ,我
C
=0
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地发射极
饱和
V
oltage
 
V 
V 
V
CE
= -2V ,我
C
=1A
I
C
= 2A ,我
B
=-0.2A
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A
输出电容
电流增益带宽积
 
 �½�F
 
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
f
T
 
MH�½� 
V
CE
=5V,I
E
=0.1A
 
█ h
FE
分类
R 
 
 
60—120
 
 
 
O   
 
 
 
Y   
 
 
 
G 
100—200
160—320
200—400