欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

H8050 参数 Datasheet PDF下载

H8050图片预览
型号: H8050
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 140 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号H8050的Datasheet PDF文件第2页  
汕头华汕电子器件有限公司。
H8050
NPN外延硅晶体管
IN CLASS便携式收音机2W输出放大器
B PUSH - PULL操作。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Juncttion
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………1W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………40V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………25V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………6V
I
C
--Collector
Current………………………………………1.5A
1―Emitter,E
2―Base,B
3―Collector,
C
TO-92
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
基地 - 发射极电压
基地 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
输出Capacacitance
电流增益带宽积
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
BE
V
BE ( SAT )
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
COB
f
T
0.1
0.1
85
40
1
0.5
1.2
40
25
6
9.0
100
500
μA
μA
V
CB
= 35V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=100mA
V
CE
= 1V ,我
C
=800mA
V
V
V
V
V
V
pF
兆赫
V
CE
= 1V ,我
C
=10mA
I
C
= 800毫安,我
B
=80mA
I
C
=800mA,I
B
=80mA
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=2mA,I
B
=0
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
V
CE
= 10V ,我
C
=50mA
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
h
FE
分类
B
C
120—200
D
160—300
E
270—500
85—160