PNP S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
低频功率放大器
H643
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………500mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-40V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-20V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current……………………………………-500mA
TO-92
1―Emitter，E
2―Base，B
3―Collector，
C
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
－４０
－２０
－５
４０
Ｖ
Ｖ
Ｖ
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -10mA ，我
B
=0
I
E
=-10μA，I
C
=0
－２００ �½�Ａ
V
CB
= -25V ，我
E
=0
－２００ �½�Ａ
V
EB
= -3V ，我
C
=0
４００
V
CE
= -1V ，我
C
=-100mA
Ｖ
Ｖ
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
－０．３ －０．４
－１．０ －１．３
█
h
FE
分类
R
40— 80
O
70— 140
Y
120— 240
G
200—400
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
