N P N S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H546
█
开关和放大器
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………500mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………80V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………65V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………6V
I
C
--Collector
Current……………………………………100mA
1―Collector，
C
2―Base，B
3―Emitter，E
TO-92
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
H
FE（1）
V
CE(sat1)
V
CE(sat2)
V
BE(sat1)
V
BE(sat2)
V
BE（上）
f
T
COB
NF
80
65
6
15
110
90
200
0.7
0.9
580
660
300
2.5
2
10
800
250
600
1
1.2
700
V
V
V
nA
mV
mV
V
V
mV
兆赫
pF
dB
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
=1mA，I
C
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=2mA
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
V
CE
= 5V ，我
C
=2mA
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
V
CB
= 10V ，我
E
=0
f=100MHz
V
CE
= 5V ，我
C
=0.2Ma
f=1KHz，Rg=2KΩ
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
█
h
FE
分类
A
110—220
B
200—450
C
420—800
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
