N P N S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H5342
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应用
中功率放大器
.
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Juncttion
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………625mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………40V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………32V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………5V
I
C
--Collector
Current………………………………………500mA
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
TO-92
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
f
T
COB
40
32
5
0.1
0.1
70
300
7.0
240
0.25
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
I
C
=100μA，I
E
=0
I
C
=1mA，I
B
=0
I
E
=10μA，I
C
=0
V
CB
= 40V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CE
= 6V ，我
E
=-20mA
V
CB
=6V,I
E
=0，f=1MHz
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
输出Capacacitance
█
h
FE
分类
O
70—140
Y
120—240
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
