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H422 参数 Datasheet PDF下载

H422图片预览
型号: H422
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 286 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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N P N S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H422
应用
B类中的彩色电视视频输出级和
专业显示器设备
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………830mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………250V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………250V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………5V
I
C
--Collector
Current………………………………………50mA
I
CP
--Collector
电流脉冲)
………………………………100mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极 - 基极截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE ( SAT )
CRE
250
250
5
10
50
50
0.6
1.6
60
V
V
V
nA
nA
V
pF
兆赫
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
=10μA,I
C
=0
V
CB
= 200V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 20V ,我
C
=25mA
I
C
= 30mA时我
B
=5mA
V
CE
= 30V ,我
C
=0,f=1MHz
V
CE
=10V,
I
C
=10mA,f=100MHz
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
反馈电容
电流增益带宽积
f
T