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H420 参数 Datasheet PDF下载

H420图片预览
型号: H420
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 242 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
应用
B类中的彩色电视视频输出级和
专业显示器设备
H420
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………800mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………300V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………300V
V
E B Ø
② :辐射源
基极电压连续.................................... 5V
I
C
--Collector
当前
……………………………………
50mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
BV
CBO
BV
CER
H
FE
 
I
CBO
I
EBO
CRB
f
T
 
300 
300 
50 
 
 
 
 
60 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
0.6 
10 
V 
V 
 
V 
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1毫安,R
BE
=2.7KΩ 
V
CE
= 20V ,我
C
=25mA 
I
C
= 30mA时我
B
=5mA
 
直流电流增益
集电极截止电流
V
CE ( SAT )
 
集电极 - 发射极饱和电压
辐射源
截止电流
反馈电容
电流增益带宽积
10 
1.6  �½�F 
V
CE
= 30V ,我
C
=0,f=1MH�½�
  MH�½� 
V
CE
= 10V ,我
C
=10mA
�½�A 
V
CB
= 200V ,我
E
=0
μA 
V
EB
= 5V ,我
C
=0