NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
低频功率放大器。
H400S
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………900mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………25V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………25V
V
E B Ø
② ：辐射源
基极电压连续.................................... 5V
I
C
——
集电极电流.......................................... 1
TO-92
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
２５
２５
５
６０
３０
５６０
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
=10μA，I
C
=0
V
CE
= 2V ，我
C
=50mA
V
CE
= 2V ，我
C
=1A
I
C
= 0.5A ，我
B
=50mA
I
C
= 0.5A ，我
B
=50mA
H
FE（1）
直流电流增益
H
FE（2）
直流电流增益
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
I
CBO
I
EBO
I
首席执行官
f
T
COB
集电极截止电流
０．１ ０．３
０．８５ １．２
１８０
１５
１
１
１
辐射源
截止电流
集电极截止电流
电流增益带宽积
μＡ
V
CB
= 20V ，我
E
=0
μＡ
V
EB
= 4V ，我
C
=0
μＡ
V
CE
= 20V ，我
B
=0
ＭＨ�½�
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
�½�Ｆ
V
CB
= 10V ，我
E
=0，f=1ＭＨ�½�
输出电容
█
h
FE
分类
D
E
１００—２００
F
１６０—３２０
G
２８０—５６０
６０—１２０
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
