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H369 参数 Datasheet PDF下载

H369图片预览
型号: H369
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 160 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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PNP S I L I C 0 NT· R一种S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H369
应用
通用放大器应用。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………0.83W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-32V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-20V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current……………………………………………-1A
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE(2)
H
FE(3)
V
CE ( SAT )
V
BE(on1)
V
BE(on2)
-32
-20
-5
85
50
60
375
V
V
V
I
C
=-100μA,
I
C
=-2mA,
I
E
=0
I
B
=0
I
E
=-100μA,I
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-500mA
V
CE
= -10V ,我
C
=-5mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-1A
H
FE(1)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
基射极电压上
-0.5
-1
-0.7
-0.1
-10
-0.1
40
140
28
V
V
V
μA
μA
μA
兆赫
pF
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-1A
V
CE
= -10V ,我
C
=-5mA
V
CB
= -25V ,我
E
=0
V
CB
= -25V ,我
E
=0,Ta=150
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -5V ,我
C
= -50mA , F = 100MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
=0,f=1MHz
I
CBO(1)
集电极截止电流
I
CBO(2)
集电极截止电流
I
EBO
f
T
Cc
辐射源
截止电流
电流增益带宽积
集热器
电容