N P N S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H337
█
开关与AMPLFIER应用
适用于AF-驱动级和低功率输出级
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………625mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………50V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………45V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………5V
I
C
--Collector
Current……………………………………800mA
TO-92
1―Collector，
C
2―Base，B
3―Emitter，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
H
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
Ccbo
50
45
5
2
100
100
630
0.7
1.2
100
12
V
V
V
nA
V
V
兆赫
pF
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
=100μA，I
C
=0
V
CE
=45V, V
BE
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
CE
= 1V ，我
C
=300mA
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
V
CB
= 10V ，我
E
=0
F=1MHz
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
集电极 - 基极电容
█
h
FE
分类
16
100—250
25
160—400
40
250—630
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
