NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H3332
█
应用
高电压开关应用。
“绝对
最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………700mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………180V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………160V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………6V
I
C
--Collector
Current…………………………………………0.7A
（
…………………………………1.5A
I
CP
--Collector
电流脉冲）
TO-92
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
COB
t
ON
t
英镑
t
F
180
160
6
0.1
0.1
100
80
0.12
0.85
120
8
50
1000
60
400
0.4
1.2
V
V
V
μA
μA
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
=1mA,
I
B
=0
I
E
=10μA，I
C
=0
V
CB
= 120V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=100mA
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
辐射源
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
V
V
兆赫
pF
nS
nS
nS
I
C
= 250毫安，我
B
=25mA
I
C
= 250毫安，我
B
=25mA
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
V
CB
= 10V ，我
E
=0
请参阅特定网络版测试电路
输出电容
开启时间
存储
下降时间
时间
█
h
FE
分类
R
100—200
S
140—280
T
200—400
开关测试电路：
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
