N P N S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H3192
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NPN晶体管高频放大器应用和高频,甚高频
频带放大器的应用
█
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………625mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………35V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………30V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………4V
I
C
--Collector
Current…………………………………………50mA
I
B
内部BASE
Current……………………………………………50mA
1―Emitter,E
2―Collector,C
3―Base,B
TO-92
█
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极截止电流
发射基截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
G
TP
f
T
COB
0.1
1.0
40
240
0.4
1.0
27
100
1.4
2.0
29
33
400
3.2
nA
μA
V
V
dB
兆赫
pF
V
CB
= 35V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 12V,我
C
=2mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
V
CE
= 6V ,我
C
=1mA
V
CE
= 10V ,我
C
=1mA
V
CB
= 10V ,我
E
=0,f=1MHz
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电源 - 增益
电流增益带宽积
输出电容
█
h
FE
分类
R
40—80
O
70—140
Y
120—240