汕头华汕电子器件有限公司。
H2N7000
N沟道增强型网络场效晶体管
█
概述
这些产品已被设计为最小化时的通态电阻
提供坚固，可靠，快速的开关性能。这些产品
特别适用于低电压，低电流的应用，例如
小伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器，以及其他
开关应用。
TO-92
█
特点
高密度电池设计低RDS（ON ） 。
电压控制的小信号开关。
坚固可靠。
高饱和电流能力。
1- S
2-G
3-D
█
最大额定值
（Ta=25
℃
除非另有规定编）
T
英镑
--storage
温度------------------------------------------------- -----
-55~150℃
T
j
■工作
结温----------------------------------------------
-55~150℃
V
DSS
——
漏源电压---------------------------------------------- ------------ 60V
V
DGR
——
漏，栅极电压（R
GS
≤1MΩ)
---------------------------------------------------------
V
GSS
——
栅源电压---------------------------------------------- --------------------------
I
D
——
漏电流（连续） --------------------------------------------- -------------------
P
D
——
最大功率耗散
-----------------------------------------------------------
60V
±
20V
200mA
400mW
█
电气特性
（Ta=25
℃
除非另有规定编）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
I
D（上）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门 - 体泄漏，正向
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
漏源电压
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 打开时间
打开 - 关闭时间
75
320
20
11
4
50
25
5
10
10
分钟。
60
1
±
10
0.8
3.0
5
5.3
2.5
0.4
典型值。
马克斯。
单位
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=10
µA
V
DS
=48V, V
GS
=0V
V
GS
=
±
15V , V
DS
=0V
V
DS
= V
GS
, I
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=75mA
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=75mA
V
GS
=4.5V, V
DS
=10V
V
DS
= 10V ，我
D
=200mA
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 15 V ，R
L
= 25
Ω,
I
D
= 500
米A，V
GS
= 10 V ，R
根
= 25
Ω
µA
nA
V
Ω
Ω
V
V
mA
mS
pF
pF
pF
nS
nS
g
FS
西塞
科斯
CRSS
吨
花花公子
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