汕头华汕电子器件有限公司。
NPN S I L I C 0 NT· RA ñ S I S T Ø ř
H2682
█
应用
。音频功率Amplifie 。
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散（T
c
=25℃）…………………… 8W
P
C
--Collector
耗散
A
=25℃）
（T
……………………
1.2W
V
CBO
--Collector -基地
电压180V ..............................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压........................... 180V
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压5V
I
C
--Collector
Current……………………………………100mA
1―Emitter，E
2―Collector，C
3―Base，B
TO-126ML
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
180
180
5
1
1
90
100
0.12
0.8
200
3.2
5.0
190
320
0.5
1.5
V
V
V
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
=10μA，I
C
=0
μA
V
CB
= 180V ，我
E
=0
μA
V
EB
= 3V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=1mA
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
V
V
兆赫
pF
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
V
CE
= 10V ，我
C
=20mA,
V
CB
= 10V ，我
E
=0,f=1MHz
发射极截止电流
H
FE（1）
直流电流增益
H
FE（2）
直流电流增益
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
f
t
COB
电流增益带宽积
输出电容
█
h
FE
分类
O
100—200
Y
160—320
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
