欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

H2655S 参数 Datasheet PDF下载

H2655S图片预览
型号: H2655S
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 172 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号H2655S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号H2655S的Datasheet PDF文件第3页  
NP北南I L I C Ø NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H2655S
应用
功率放大器的应用程序,电源
开关
应用程序。
“绝对
最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………750mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………50V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………50V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………5V
I
C
--Collector
Current……………………………………………2A
IB - 基极电流...................................................... -0.5A
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
COB
t
ON
t
英镑
t
F
50
50
5
1.0
1.0
70
40
240
0.5
1.2
100
30
0.1
1.0
0.1
V
V
V
μA
μA
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
=10mA,
I
B
=0
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CB
= 50V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=0.5A
V
CE
= 2V ,我
C
=1.5A
辐射源
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
V
V
兆赫
pF
μS
μS
μS
I
C
= 1A ,我
B
=50mA
I
C
= 1A ,我
B
=50mA
V
CE
= 2V ,我
C
=0.5A
V
CB
= 10V ,我
E
=0,f=1MHz
请参阅特定网络版测试电路
输出电容
开启时间
存储
下降时间
时间
h
FE
分类
O
Y
120—240
70—140