NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
开关和Aamplifier应用。
H238
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绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………500mW
V
CES
--Collector-
发射极电压30V ....................................
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………25V
V
E B Ø
② :辐射源
基极电压连续.................................... 5V
I
C
--Collector
Current………………………………………100mA
TO-92
1―Collector,
C
2―Base,B
3―Emitter,E
█
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
H
FE
25
5
120
150
0.2
0.2
15
800
0.6
V
V
V
V
V
V
V
I
C
=2�½�A,I
B
=0
I
E
=1μA,I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=2�½�A
I
C
=10�½�A, I
B
=0.5�½�A
I
C
=100�½�A, I
B
=5�½�A
I
C
=10�½�A, I
B
=0.5�½�A
I
C
=100�½�A, I
B
=5�½�A
V
CE
=5V, I
C
=2�½�A
集电极截止电流
直流电流增益
�½�A V
CE
=30V,V
BE
=0
V
CE(sat1)
集电极 - 发射Saturatio N个电压
V
CE(sat2)
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE(sat1)
基射极饱和电压
V
BE(sat2)
基射极饱和电压
V
BE(上)
f
T(1)
f
T(2)
COB
NF
基射极电压上
电流增益带宽积
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
0.07 0.2
0.73 0.83
0.87 1.05
85
250
3.5
2
6
10
0.55 0.62 0.7
MH�½� V
CE
=3V,I
C
=0.5�½�A,
�½�=100MH�½�
MH�½� V
CE
=5V,I
C
=10�½�A,�½�=100MH�½�
�½�F V
CB
=10V,I
E
=0,�½�=1MH�½�
�½�B
V
CE
=5V,I
C
=0.2�½�A,
�½�=1KH�½�,R
G
=2KO
█
h
FE
分类
A
B
C
380—800
120—220
180—460