NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
该器件是专为高速饱和
在马的集电极电流为100mA开关
H2369
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绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………625mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………40V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………15V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………4.5V
I
C
--Collector
当前
……………………………………
200mA
TO-92
1―Collector，
C
2―Base，B
3―Emitter，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE(2)
４０
１５
４．５
４０
３０
１５０
０．２
０．７
１００
１００
４
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
I
C
=10μA,
I
C
=10mA,
I
E
=0
I
B
=0
H
FE(1)
直流电流增益
直流电流增益
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
I
CBO
I
EBO
COB
集电极截止电流
I
E
=10μA，I
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=10mA
V
CE
=2, I
C
=100mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
辐射源
截止电流
输出电容
�½�Ａ
V
CB
= 25V ，我
E
=0
�½�Ａ
V
EB
= 4.5V ，我
C
=0
�½�Ｆ
V
CB
= 5V ，我
E
=0，f=1ＭＨ�½�
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