NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H2274
█
应用
低频功率放大器的应用。
“绝对
最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………600mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………60V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………50V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………5V
I
C
--Collector
Current………………………………………500mA
（
………………………………800mA
I
CP
--Collector
电流脉冲）
TO-92
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
COB
60
50
5
1.0
1.0
60
35
0.2
0.9
120
5
320
0.6
1.2
V
V
V
μA
μA
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
=1mA,
I
B
=0
I
E
=10μA，I
C
=0
V
CB
= 40V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=50mA
V
CE
= 5V ，我
C
=400mA
辐射源
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
V
V
兆赫
pF
I
C
= 400毫安，我
B
=40mA
I
C
= 400毫安，我
B
=40mA
V
CE
= 10V ，我
C
=10mA
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
输出电容
█
h
FE
分类
D
60—120
E
120—200
F
160—320
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
