欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

H1684 参数 Datasheet PDF下载

H1684图片预览
型号: H1684
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 114 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
NPN S I L I C 0 NT· RA ñ S I S T Ø ř
H1684
应用
中频功率放大器,中种切换。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 10W
P
C
--Collector
耗散
A
=25℃)
(T
………………��…
1.5W
V
CBO
--Collector -基地
电压120V ..............................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压........................... 100V
V
EBO
--Emitter -基地
电压6V ....................................
I
C
--Collector
Current……………………………………1.5A
1―Emitter,E
2―Collector,C
3―Base,B
TO-126ML
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
120
100
6
100
100
100
30
0.1
0.85
80
1000
50
120
11
0.3
1.2
400
V
V
V
nA
nA
I
C
= 10μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
=10μA,I
C
=0
V
CB
= 100V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=100mA
V
CE
= 5V ,我
C
=1A
发射极截止电流
H
FE(1)
直流电流增益
H
FE(2)
直流电流增益
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE ( SAT )
基射极饱和电压
t
ON
t
英镑
t
F
f
t
COB
开启时间
存储
下降时间
电流增益带宽积
V
V
nS
nS
nS
兆赫
pF
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
请参阅特定网络版测试电路
V
CE
= 10V ,我
C
=50mA,
V
CB
= 10V ,我
E
=0,f=1MHz
时间
输出电容
h
FE
分类
R
100—200
S
140—280
T
200—400