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H1270 参数 Datasheet PDF下载

H1270图片预览
型号: H1270
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 105 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
PNP S I L I C 0 NT· RA ñ S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H1270
CENERAL工业用途。
开关应用
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………500mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-35V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-30V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current……………………………………-500mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
I
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
COB
-100
-100
70
25
-0.1
-0.8
200
13
240
-0.25
-1.0
nA
nA
V
CB
= -35V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-100mA
V
CE
= -6V ,我
C
=-400mA
辐射源
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
电流增益带宽积
V
V
pF
I
C
= -100mA ,我
B
=-10mA
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA
V
CB
= -6V ,我
E
=0,f=1MHz
兆赫
V
CE
= -6V ,我
C
=-20mA
输出电容
h
FE
分类
O
70—140
Y
120—240