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H1015 参数 Datasheet PDF下载

H1015图片预览
型号: H1015
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 106 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
P NP S I L I C 0 NT· RA ñ S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H1015
音频放大器
高频振荡器
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………400mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-50V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-50V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current……………………………………-150mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
I
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
f
T
-100
-100
70
25
700
-0.3
-1.1
-50
-50
-5
80
nA
nA
V
CB
= -50V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -6V ,我
C
=-2mA
V
CE
= -6V ,我
C
=-150mA
辐射源
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
电流增益带宽积
V
V
V
V
V
兆赫
I
C
= -100mA ,我
B
=-10mA
I
C
= -100mA ,我
B
=-10mA
I
C
=-100μA,
I
C
=-1mA,
I
E
=0
I
B
=0
I
E
=-10μA,I
C
=0
V
CE
= -10V ,我
C
=-1mA
h
FE
分类
O
Y
120—240
GR
200—400
BL1
350—510
BL2
480—700
70—140