汕头华汕电子器件有限公司
NPN
硅
晶体管
13002
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：D142AG-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：1420×1420µm
2
焊�½�尺寸：B 极
300×245µm
2
，E 极
350×245µm
2
电极金属：铝
背面金属：银或金
典型封装：KSE13002，HE13002
（封装�½�式：TO-126）
█ 极限值
（T
a
=25℃）
T
英镑
——贮存温度……………………………………
-65~150℃
T
j
——结温…………………………………………………
150℃
P
C
——集电极功率耗散（T
c
=25℃）……………………… 30W
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………
600V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压……………………………
400V
V
EBO
——发射极—基极电压…………………………………9V
I
C
——集电极电流（DC）……………………………………1.5A
█ 管芯示意图
█ 电参数
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-126）
参数符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
f
T
t
ON
t
英镑
t
F
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值
600
400
9
10
单�½�
V
V
V
40
1.8
0.8
1.2
10
10
V
V
V
µA
µA
兆赫
µS
µS
µS
测
试
条
件
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
特征频率
导通时间
贮存时间
下降时间
I
C
=1mA，I
E
=0
I
C
=10mA，I
B
=0
I
E
=1mA，I
C
=0
V
CE
=10V，I
C
=0.1A
I
C
=1A，I
B
=200mA
I
C
=0.5A，I
B
=100mA
I
C
=0.5A，I
B
=100mA
V
CB
=500V，I
E
=0
V
EB
=9V，I
C
=0
V
CE
=10V，I
C
=0.1A，
f=1MHz
V
CC
=125V，I
C
=1A
I
B1
=-I
B2
=0.2A
R
L
=125Ω
8
1.1
4.0
0.7
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
