汕头华汕电子器件有限公司
PNP
硅
晶体管
1357
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：A126AG-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：1260×1260µm
2
焊�½�尺寸：B 极
308×308µm
2
；E 极
308×385µm
2
电极金属：铝
背面金属：银
典型封装：2SA1357，H1357
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-126）
T
英镑
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温………………………………………………150℃
P
C
——集电极功率耗散
c
=25℃）
（T
………………………
10W
P
C
——集电极功率耗散
a
=25℃）
（T
………………………1.5W
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………-40V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压…………………………-20V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………-8V
I
C
——集电极电流
（DC）的
……………………………………-5A
I
C
——集电极电流(脉冲)…………………………………-8A
I
B
——基极电流……………………………………………-1A
█ 电参数
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-126）
参数符号
V
（
BR ） CEO
I
CBO
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值 单 �½�
-20
-100
-100
600
1.0
-1.5
170
60
V
nA
nA
测
试
条
件
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
集电极—发射极击穿电压
集电极—发射极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极导通电压
特征频率
共基极输出电容
140
70
V
V
兆赫
pF
I
C
=-10mA，I
B
=0
V
CE
=-40V，I
B
=0
V
EB
=-8V，I
C
=0
V
CE
=-2V，I
C
=-500mA
V
CE
=-2V，I
C
=-4A
I
C
=-4A，I
B
=-100mA
V
CE
=-2V，I
C
=-4A
V
CE
=-2V，I
E
=-500mA
V
CB
=-10V，I
E
=0，
f=1MHz
脉冲测试： PW = 10毫秒（最大值） ，占空比= 30 ％ （分钟）
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