汕头华汕电子器件有限公司
PNP
硅
晶体管
A92
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:A072AJ-00
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:720×720µm
2
焊�½�尺寸:B 极
95×95µm
2
;E 极
100×100µm
2
电极金属:铝
背面金属:金
典型封装:MPSA92,HA92
█ 管芯示意图
█ 极限值
(T
a
=25℃)
(封装�½�式:TO-92)
T
英镑
——贮存温度…………………………………���
-55~150℃
T
j
——结温…………………………………………………150℃
P
C
——集电极耗散功率…………………………………625mW
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………-300V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压……………………………-300V
V
EBO
——发射极—基极电压…………………………………-5V
I
C
——集电极电流………………………………………-500mA
(封装�½�式:TO-92)
█ 电参数
(T
a
=25℃)
参数符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
h
FE
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值 单 �½�
-300
-300
-5
-250
-100
-100
25
40
25
300
-0.5
-1
-0.9
50
V
V
V
兆赫
V
V
V
nA
nA
nA
测
试
条
件
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
集电极—发射极截止电流
直流电流增益
I
C
=-100µA,I
E
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
I
E
=-100µA,I
C
=0
V
CB
=-200V,I
E
=0
V
EB
=-3V,I
C
=0
V
CE
=-300V,V
BE
=0
V
CE
=-10V,I
C
=-1mA
V
CE
=-10V,I
C
=-10mA
V
CE
=-10V,I
C
=-30mA
I
C
=-20mA,I
B
=-2mA
I
C
=-60mA,I
B
=-6mA
I
C
=-20mA,I
B
=-2mA
V
CE
=-20V,
C
=-10mA,
I
f=100MHz
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
集电极—发射极饱和电压
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
特征频率