Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
NPN SILICON TRANSISTOR
HE13009
█ ＨＩＧＨ ＶＯＬＴＡＧＥ ＳＷＩＴＣＨ ＭＯＤＥ ＡＰＰＬＩＣＩＣＡＴＩＯＮＳ
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Montor Control
█
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T
a
=25℃）
T
stg
——Storage
Temperature…………………………
－65~150℃
T
j
——Junction
Temperature……………………………… 150℃
P
C
——Collector
Dissipation
c
=25℃）
（T
……………………
100W
V
CBO
——Collector-Base
Voltage…………………………… 700V
V
CEO
——Collector-Emitter
Voltage………………………… 400V
V
EBO
——Emitter-Base
Voltage……………………………… 9V
I
C
——Collector
Current（DC）……………………………… 12A
TO-220AB
1―
Base，B
2―Collector，C
3―Emitter, E
I
B
——Base
Current……………………………………………6A
█
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T
a
=25℃）
Symbol
Characteristics
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
BV
CEO
I
EBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter Cut-off Current
４００
８
６
４
１８０
１
４０
３０
１
１．５
３
１．２
１．６
３
Ｖ
�½�Ａ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
�½�Ｆ
ＭＨ�½�
μＳ
Ｉ
Ｃ
＝１０�½�Ａ，Ｉ
Ｂ
＝０
Ｖ
ＥＢ
＝９Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝０
Ｖ
ＣＥ
＝５Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝５Ａ
Ｖ
ＣＥ
＝５Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝８Ａ
Ｉ
Ｃ
＝５Ａ， Ｉ
Ｂ
＝１Ａ
Ｉ
Ｃ
＝８Ａ， Ｉ
Ｂ
＝１．６Ａ
Ｉ
Ｃ
＝１２Ａ， Ｉ
Ｂ
＝３Ａ
Ｉ
Ｃ
＝５Ａ， Ｉ
Ｂ
＝１Ａ
Ｉ
Ｃ
＝８Ａ， Ｉ
Ｂ
＝１．６Ａ
Ｖ
ＣＢ
＝１０Ｖ，�½�＝０．１ＭＨ�½�
Ｖ
ＣＥ
＝１０Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝０．５Ａ
Ｖ
ＣＣ
＝１２５Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝８Ａ
Ｉ
Ｂ１
＝－Ｉ
Ｂ２
＝１．６Ａ
H
FE（1）
DC Current Gain
H
FE（2）
V
CE(sat1)
Collector- Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat2)
V
CE(sat3)
V
BE(sat1)
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat2)
Cob
f
T
t
ON
t
STG
t
F
Output Capacitance
Current Gain-Bandwidth Product
Turn-On Time
Storage
Fall Time
Time
１．１ μＳ
０．７ μＳ
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
