汕头华汕电子器件有限公司
NPN
SILICON
TRANSISTOR
13001
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：D083AJ-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：830×830µm
2
焊�½�尺寸：B 极
140×144µm
2
，E 极
180×140µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：KSE13001，HE13001
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-92）
T
stg
——贮存温度……………………………………-55~150℃
T
j
——结温…………………………………………………150℃
P
C
——集电极耗散功率…………………………………900mW
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………600V
V
CEO
——集电极—发射极电压……………………………400V
V
EBO
——发射极—基极电压…………………………………9V
I
C
——集电极电流（DC）…………………………………0.25A
（封装�½�式：TO-92）
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat）
f
T
符
号
说 明
最小值 典型值 最大值 单 �½�
400
600
9
100
100
70
0.6
1.2
V
V
V
µA
µA
V
V
MHz
测
试
条
件
集电极—发射极击穿电压
集电极—基极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和压降
基极—发射极饱和压降
特征频率
8
I
C
=10mA，I
B
=0
I
C
=1mA，I
E
=0
I
E
=1mA，I
C
=0
V
CB
=500V，I
E
=0
V
EB
=9V，I
C
=0
V
CE
=10V，I
C
=20mA
I
C
=100mA，I
B
=20mA
I
C
=100mA，I
B
=20mA
V
CE
=10V，I
C
=20mA
8
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
