汕头华汕电子器件有限公司
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
BU406
晶�½�管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C270AG-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：2700×
2700µm
2
焊�½�尺寸：B 极
550×
900µm
2
；E 极
550×
1100µm
2
电极金属：铝
背面金属：银
典型封装：ＢＵ４０６，ＢＵ４０６Ｈ
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-220）
T
stg
——贮存温度…………………………………… －55~150℃
T
j
——结温…………………………………………………
150℃
P
C
——集电极功率耗散（T
c
=25℃）……………………… 60W
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………
400V
V
CEO
——集电极—发射极电压……………………………
200V
V
EBO
——发射极—基极电压…………………………………
6V
I
C
——集电极电流（DC）……………………………………
7A
I
CP
——集电极电流（脉冲）…………………………………
10A
I
B
——基极电流…………………………………………………4A
█ 电参数
（T
a
=25℃）
（封装�½�式：TO-220）
参数符号
BV
CEO
I
CES
I
EBO
h
FE
符
号 说 明
最小值 典型值 最大值
200
5
1
12
5
30
8
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
t
OFF
集电极— 发射极饱和电压
基极— 发射极饱和电压
特征频率
下降时间
10
0.75
1
1
1.2
1.2
V
V
V
V
MHz
? s
单 �½�
V
mA
mA
测
试
条
件
集电极— 发射极击穿电压
集电极— 发射极截止电流
发射极— 基极截止电流
直流电流增益
I
C
=10mA，I
B
=0
V
CE
=400V，V
BE
=0
V
EB
=6V，I
C
=0
V
CE
=1V，I
C
=1A
V
CE
=1V，I
C
=5A
V
CE
=5V，I
C
=2A
V
CE
=5V，I
C
=5A
I
C
=5A，I
B
=0.5A
I
C
=5A，I
B
=0.8A
I
C
=5A，I
B
=0.5A
I
C
=5A，I
B
=0.8A
V
CE
=10V，I
C
=0.5A
I
C
=5A，I
B
=0.5A
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