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    MMBT5551 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT5551图片预览
    型号： MMBT5551
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR(NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 2 页 / 1555 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号MMBT5551的Datasheet PDF文件第2页  
    MMBT5551
    晶体管（ NPN ）
    特点
    为了配合MMBT5401
    非常适用于中等功率放大和开关
    标记： G1
    最大额定值（T
    a
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    从结点到环境的热阻
    结温
    储存温度
    价值
    180
    160
    6
    600
    300
    416
    150
    -55�½�+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃/W
    ℃
    ℃
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    SOT–23
    电气特性（T
    a
    = 25 ℃除非另有规定）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE（ 1）*
    h
    FE(2)
    h
    FE(3)
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    *脉冲测试：脉冲宽度
    ≤300μs,
    占空比cycle≤ 2.0％。
    *
    *
    *
    TEST
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    =0
    条件
    民
    180
    160
    6
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    =0
    V
    （ BR ） EBO
    V
    CB
    = 120V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =1mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =10mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =50mA
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =1mA
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =5mA
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =1mA
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =5mA
    V
    CE
    =10V,I
    C
    = 10毫安中，f = 100MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    100
    *
    50
    50
    80
    100
    50
    0.15
    0.2
    1
    1
    300
    6
    300
    nA
    nA
    V
    CE(sat)1*
    V
    CE(sat)2
    V
    BE(sat)1
    V
    BE(sat)2
    f
    T
    C
    ob
    *
    *
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    pF
    分类
    h
    FE （2）
    秩
    范围
    L
    100-200
    H
    200-300
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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