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    MMBT2222A 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT2222A图片预览
    型号： MMBT2222A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR(NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管IOT
    文件页数/大小： 2 页 / 1247 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第2页  
    MMBT2222A
    晶体管（ NPN ）
    SOT-23
    特点
    外延平面片建设
    互补PNP类型的可用（ MMBT2907A ）
    1.基地
    2.EMITTER
    3.COLLECTOR
    标记： 1P
    最大额定值
    (T
    a
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    Θ
    JA
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散
    热阻，结到环境
    结温
    储存温度
    价值
    75
    40
    6
    600
    250
    500
    150
    -55to+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃/W
    ℃
    ℃
    电气特性（T
    a
    = 25 ℃除非另有规定）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    *
    TEST
    条件
    民
    75
    40
    6
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 60V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    =30V,V
    BE （OFF）的
    =3V
    V
    EB
    = 3V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 150毫安
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 0.1毫安
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 500毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    =15mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    =15mA
    V
    CE
    = 20V ，我
    C
    = 20mA时，
    f=100MHz
    V
    CC
    =30V, V
    BE （OFF）的
    =-0.5V
    I
    C
    = 150毫安，我
    B1
    = 15毫安
    V
    CC
    = 30V ，我
    C
    =150mA
    I
    B1
    =-I
    B2
    =15mA
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    CEX
    I
    EBO
    h
    FE（ 1）*
    0.01
    0.01
    0.1
    100
    40
    42
    1
    0.3
    2.0
    1.2
    300
    10
    25
    225
    60
    300
    μA
    μA
    μA
    直流电流增益
    h
    FE(2)
    h
    FE(3)
    *
    *
    *
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    *脉冲测试：脉冲宽度
    ≤300μs,
    占空比cycle≤ 2.0％。
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    t
    d
    t
    r
    t
    S
    t
    f
    V
    V
    兆赫
    nS
    nS
    nS
    nS
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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