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    M28S 参数 Datasheet PDF下载

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    型号： M28S
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    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR(NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 302 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
       
    M28 S
    晶体管（ NPN ）
    SOT–23
    特点
    优秀ħ
    FE
    线性
    高直流电流增益
    最大额定值（T
    a
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    从结点到环境的热阻
    结温
    储存温度
    价值
    40
    20
    6
    1
    200
    625
    150
    -55�½�+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    ℃/W
    ℃
    ℃
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    电气特性（T
    a
    = 25 ℃除非另有规定）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    直流电流增益
    h
    FE(2)
    h
    FE(3)
    h
    FE(4)
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    TEST
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 0.1毫安，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 35V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = 20V ，我
    B
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =1mA
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =100mA
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =300mA
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =500mA
    I
    C
    = 600毫安，我
    B
    =20mA
    V
    CE
    =10V,I
    E
    = 50mA时F = 1MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    100
    9
    290
    300
    300
    300
    0.55
    V
    兆赫
    pF
    1000
    条件
    民
    40
    20
    6
    0.1
    5
    0.1
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    µA
    I
    C
    = 0.1毫安，我
    E
    =0
    分类
    h
    FE(2)
    秩
    范围
    记号
    B
    300–550
    C
    500–700
    28S
    D
    650–1000
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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