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    KTD1304 参数 Datasheet PDF下载

    KTD1304图片预览
    型号： KTD1304
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 2 页 / 730 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号KTD1304的Datasheet PDF文件第2页  
    KTD1304
    晶体管（ NPN ）
    特点
    高¡
    发射极 - 基极电压
    ULOW
    抗性
    标记： MAX
    最大额定值（T
    A
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    价值
    25
    20
    12
    0.3
    0.2
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    ℃
    ℃
    SOT-23
    1.基地
    2.辐射源
    3.COLLECTOR
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    （ FOR）
    直流电流增益
    h
    FE
    （ REV ）
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    输出电容
    抗性
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 4毫安
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    = 10毫安
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =10mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 1毫安
    60
    10
    0.6
    20
    0.25
    1
    V
    V
    兆赫
    TEST
    条件
    I
    E
    =0
    民
    25
    20
    12
    0.1
    0.1
    200
    1000
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    I
    C
    =100
    μ
    A,
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    =100
    μ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = 25 V，I
    E
    =0
    V
    EB
    = 12V，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 4毫安
    μ
    A
    μ
    A
    f
    T
    f=
    100MHz
    V
    CB
    =10V,I
    E
    =0,f=1MHz
    V
    in
    =0.3V,I
    B
    =1mA,f=1KH
    Z
    C
    ob
    R
    （上）
    pF
    Ω
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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