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KTC4375 参数 Datasheet PDF下载

KTC4375图片预览
型号: KTC4375
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 603 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
 浏览型号KTC4375的Datasheet PDF文件第2页  
KTC4375
晶体管( NPN )
特点
低电压
SOT-89
1.
BASE
2.
集热器
1
2
3
最大额定值(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
30
30
5
1.5
0.5
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
3.
辐射源
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
TEST
条件
30
30
5
0.1
0.1
100
320
2
1
120
40
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=1mA,I
E
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
V
CB
=30V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=2V,I
C
=0.5A
I
C
=1.5A,I
B
=30mA
V
CE
=2V,I
C
=0.5A
V
CE
=2V,I
C
=500mA
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
分类
范围
记号
1 
金隅
h
FE(1)
O
100-200
GO
Y
160-320
GY
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05