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    KTC3879 参数 Datasheet PDF下载

    KTC3879图片预览
    型号： KTC3879
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 485 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
       
    KTC3879
    晶体管（ NPN ）
    特点
    高功率增益
    应用
    高频应用
    HF， ​​VHF频带放大器的应用
    1.基地
    2.辐射源
    SOT–23
    最大额定值（T
    a
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    从结点到环境的热阻
    结温
    储存温度
    价值
    35
    30
    4
    50
    150
    833
    150
    -55½+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃/W
    ℃
    ℃
    3.收集
    电气特性（T
    a
    = 25 ℃除非另有规定）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    TEST
    条件
    民
    35
    30
    4
    0.1
    0.2
    1
    40
    240
    0.4
    1
    100
    V
    V
    兆赫
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    µA
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 100μA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = 100μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 30V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = 25V ，我
    B
    =0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 12V，我
    C
    =2mA
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =1mA
    I
    C
    =一千万，我
    B
    =1mA
    V
    CE
    =10V,I
    C
    =1mA
    分类
    h
    FE
    秩
    范围
    记号
    R
    40–80
    RR
    O
    70–140
    RO
    Y
    120–240
    RY
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ½½½：２０１１／０５

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