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KTC3875 参数 Datasheet PDF下载

KTC3875图片预览
型号: KTC3875
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 787 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
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KTC3875
晶体管( NPN )
SOT-23
特点
·
高的hFE
·
低噪音
·
补充KTA1504
1.基地
2.辐射源
3.收集
最大额定值
(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
60
50
5
150
150
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
TEST
I
C
=100
μ
A,I
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 100
μ
A,I
C
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 6V ,我
C
= 2毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 1毫安
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MH
Z
V
CE
=6V,I
C
=0.1mA,Rg=10kΩ,f=1KH
Z
80
2.0
1.0
3.5
10
70
0.1
条件
60
50
5
0.1
0.1
700
0.25
1
V
V
兆赫
pF
dB
典型值
最大
单位
V
V
V
μ
A
μ
A
f
T
C
ob
NF
O
70-140
ALO
分类h及
FE
范围
记号
1 
金隅
Y
120-240
ALY
GR
200-400
ALG
BL
350-700
所有
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05