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KST10 参数 Datasheet PDF下载

KST10图片预览
型号: KST10
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 390 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
   
KST10
晶体管( NPN )
SOT–23
特点
甚高频/超高频晶体管
标记: 3E1
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
30
25
3
40
350
357
150
-55�½�+150
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
1.基地
2.辐射源
3.收集
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
TEST
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 25V ,我
E
=0
V
EB
= 2V ,我
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=4mA
I
C
= 4mA时我
B
=0.4mA
V
CE
= 10V ,我
C
=4mA
V
CE
=10V,I
C
= 4mA时F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
650
0.7
60
0.5
0.95
V
V
兆赫
pF
条件
30
25
3
0.1
0.1
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
I
C
= 100μA ,我
E
=0
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05