GS1A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GS1A
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内容描述：	1安培硅整流50到1000伏特 [1 Amp Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts]
分类和应用：	二极管光电二极管
文件页数/大小：	3 页 / 748 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

•

THRU

特点

对于表面贴装应用

极低的热阻

方便取放

高温焊接： 250 ℃，10秒码头

1安培

硅整流

50到1000伏特

SMAE

阴极带

•

工作温度： -65 ° C到+ 175℃

•

存储温度： -65 °C至+ 175℃

•

最大热阻; 15

° C / W

交界处领导

最大

Reccurrent

反向峰值

电压

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

最大

RMS

电压

35V

70V

140V

280V

420V

560V

700V

最大

闭塞

电压

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

最大额定值

设备

记号

尺寸

电气特性@ 25 ° C除非另有说明

平均正向

F（ AV ）

1.0A

= 75°C

当前

峰值正向浪涌

FSM

50A

8.3ms的半正弦波，

当前

= 150°C

最大

= 1.0A;

瞬时

1.1V

= 25°C*

正向电压

最大直流

反向电流

10µA

= 25°C

额定DC阻断

50µA

= 125°C

电压

= 0.5A ，我

=1.0A,

最大反向

1.8µs

恢复时间

=0.25A

典型结

15pF

在测

电容

1.0MHz的，V

=4.0V

*脉冲测试：脉冲宽度300

微秒，

占空比2 ％

暗淡

英寸

民

0.157

0.100

0.078

0.194

0.055

0.006

0.030

最大

0.177

0.110

0.096

0.222

0.071

0.008

0.012

0.060

民

3.99

2.54

1.98

4.93

1.40

0.152

0.76

最大

4.50

2.80

2.42

5.56

1.80

0.203

0.305

1.52

记

１　

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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