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    FMMT593 参数 Datasheet PDF下载

    FMMT593图片预览
    型号： FMMT593
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ PNP ） [TRANSISTOR (PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 1 页 / 448 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
       
    FMMT593
    晶体管（ PNP ）
    SOT–23
    特点
    互补型FMMT493
    标记： 593
    最大额定值（T
    a
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    从结点到环境的热阻
    结温
    储存温度
    价值
    -120
    -100
    -5
    -1
    250
    500
    150
    -55½+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    ℃/W
    ℃
    ℃
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    电气特性（T
    a
    = 25 ℃除非另有规定）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    CES
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    *
    直流电流增益
    h
    FE(2)
    *
    h
    FE(3)
    *
    h
    FE(4)
    *
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    V
    CE(sat)1
    *
    V
    CE(sat)2
    *
    V
    BE （ SAT ）
    *
    V
    BE
    *
    f
    T
    C
    ob
    TEST
    条件
    民
    -120
    -100
    -5
    -0.1
    -0.1
    -0.1
    100
    100
    100
    50
    -0.2
    -0.3
    -1.1
    -1
    50
    5
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    pF
    300
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    µA
    I
    C
    = -100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -100μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -100V ，我
    E
    =0
    V
    CES
    = -100V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-1mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-250mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-0.5A
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-1A
    I
    C
    = -250mA ，我
    B
    =-25mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-50mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-50mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-1mA
    V
    CE
    =-10V,I
    C
    = -50mA ， F = 100MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    *脉冲测试：脉冲宽度≤300μs ，值班cycle≤ 2.0 ％ 。
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ½½½：２０１１／０５

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