FMMT491
晶体管（ NPN ）
特点
低等效导通电阻
1.
BASE
2.
辐射源
3.
集热器
SOT-23
标记： 491
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
80
60
5
1
250
150
-55-150
单位
V
V
V
A
mW
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
1
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
1
1
TEST
条件
民
80
60
5
典型值
最大
单位
V
V
V
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CB
=60V,I
E
=0
V
EB
=4V,I
C
=0
V
CE
=5V,I
C
=1mA
V
CE
=5V,I
C
=500mA
V
CE
=5V,I
C
=1A
V
CE
=5V,I
C
=2A
0.1
0.1
100
100
80
30
0.25
0.5
1.1
1
150
10
300
μA
μA
h
FE(4)
1
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
1
V
CE(sat)1
1
I
C
=500mA,I
B
=50mA
I
C
=1A,I
B
=100mA
I
C
=1A,I
B
=100mA
V
CE
=5V,I
C
=1A
V
CE
=10V,I
C
=50mA,,f=100MHz
V
CB
=10V,f=1MHz
V
V
V
V
兆赫
pF
V
CE(sat)2
1
V
BE （ SAT ）
1
V
BE
1
f
T
C
ob
脉冲条件下，脉冲宽度= 300μS ，占空比cycle≤2 ％下测得的。
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５
HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
